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STW26NM50
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 30 A, 0.12 ohm, TO-247, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩17,251 |
| 10+ | ₩11,254 |
| 100+ | ₩10,383 |
| 500+ | ₩10,368 |
| 1000+ | ₩10,049 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호STW26NM50
주문 코드1468007
Product RangeSTW
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.12ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation313W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSTW
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
제품 개요
The STW26NM50 is a 500V N-channel Power MOSFET developed using revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the PowerMESH™ horizontal layout. This MOSFET offers extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- High dv/dt and avalanche capabilities
- Improved ESD capability
- Low input capacitance and gate charge
애플리케이션
Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
313W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.12ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STW
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:아니요
RoHS 프탈레이트 준수:아니요
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.004309