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STW56N60M2-4
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 52 A, 0.045 ohm, TO-247, Through Hole
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|---|---|
| 1+ | ₩13,746 |
| 5+ | ₩10,714 |
| 10+ | ₩7,681 |
| 50+ | ₩7,402 |
| 100+ | ₩7,123 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호STW56N60M2-4
주문 코드3132769
Product RangeMDmesh M2
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id52A
Drain Source On State Resistance0.045ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation350W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh M2
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
STW56N60M2-4 is a N-channel, 600V, 45mohm typ, 52A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package. This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.
- Extremely low gate charge
- Excellent output capacitance (Coss) profile
- 100% avalanche tested
- Zener-protected
- Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin
- Operating junction temperature of 150°C
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
52A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
350W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.045ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
4Pins
Product Range
MDmesh M2
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
기술 문서 (1)
STW56N60M2-4의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00035