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TSM2314CX RFG
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 4.9 A, 0.027 ohm, SOT-23, Surface Mount
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제품 정보
제조업체 부품 번호TSM2314CX RFG
주문 코드1864589
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4.9A
Drain Source On State Resistance0.027ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max850mV
Power Dissipation1.25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
제품 개요
The TSM2314CX is a N-channel MOSFET with advanced Trench process technology and ±12V gate source voltage.
- High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance
애플리케이션
Audio, Signal Processing
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.9A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.027ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
850mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
TSM2314CX RFG의 대체 제품
4개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000653