페이지 인쇄
CSD13202Q2
Power MOSFET, N Channel, 12 V, 22 A, 7500 µohm, WSON, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
6 재고
더 필요하세요?
6 8-9 영업일 이내 배송(영국 재고)
포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 리릴링 | 1 | ₩1,066 | ₩1,066 |
| 총계 가격 | ₩1,066 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,066 |
| 10+ | ₩485 |
| 100+ | ₩484 |
| 500+ | ₩482 |
| 1000+ | ₩480 |
| 5000+ | ₩478 |
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체 부품 번호CSD13202Q2복사
제조업체 표준 리드 타임54주
주문 코드
리릴링3125008RL
컷 테이프3125008
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id22A
Drain Source On State Resistance7500µohm
Transistor Case StyleWSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation2.7W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The CSD13202Q2 is a NexFET™ N-channel Power MOSFET designed to minimize losses in power conversion and load management applications.
- Ultra-low Qg and Qgd
- Low thermal resistance
- Avalanche rated
- Halogen-free
- Plastic package
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
애플리케이션
Power Management, Portable Devices, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
22A
Transistor Case Style
WSON
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
2.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
7500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001588