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제품 정보
제조업체 부품 번호CSD16301Q2
주문 코드3125012
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id5A
Drain Source On State Resistance0.019ohm
Transistor Case StyleSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage8V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation2.3W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The CSD16301Q2 is a NexFET™ N-channel Power MOSFET designed to minimize losses in power conversion and load management applications.
- Ultra-low Qg and Qgd
- Low thermal resistance
- Halogen-free
- Plastic package
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
애플리케이션
Power Management, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5A
Transistor Case Style
SON
Rds(on) Test Voltage
8V
Power Dissipation
2.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source On State Resistance
0.019ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000112