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CSD18502KCS
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 212 A, 2400 µohm, TO-220, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
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| 10+ | ₩4,575 |
| 100+ | ₩4,217 |
| 500+ | ₩3,859 |
| 1000+ | ₩3,500 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호CSD18502KCS
주문 코드3385720
Product RangeNexFET
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id212A
Drain Source On State Resistance2400µohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation259W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeNexFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
212A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
259W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
2400µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
3Pins
Product Range
NexFET
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002543