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CSD18532Q5B
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 100 A, 3200 µohm, VSON, Surface Mount
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제조업체 표준 리드 타임: 28주
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩5,446 | ₩5,446 |
| 총계 가격 | ₩5,446 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩5,446 |
| 10+ | ₩3,182 |
| 100+ | ₩2,449 |
| 500+ | ₩2,016 |
| 1000+ | ₩1,983 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호CSD18532Q5B복사
제조업체 표준 리드 타임28주
주문 코드
리릴링3009663RL
컷 테이프3009663
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance3200µohm
Transistor Case StyleVSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation3.2W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The CSD18532Q5B is a NexFET™ N-channel Power MOSFET designed to minimize losses in power conversion applications. It is suitable for use in DC-to-DC conversion, secondary side synchronous rectifier and isolated converter primary side switch applications.
- Ultra-low Qg and Qgd
- Low thermal resistance
- Avalanche rated
- Halogen-free
- Plastic package
- Logic level
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
애플리케이션
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
VSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
3200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000098