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CSD23381F4
Power MOSFET, P Channel, 12 V, 2.3 A, 0.15 ohm, LGA, Surface Mount
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제품 정보
제조업체 부품 번호CSD23381F4
주문 코드3385721
Product RangeFemtoFET
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id2.3A
Drain Source On State Resistance0.15ohm
Transistor Case StyleLGA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max950mV
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeFemtoFET
Qualification-
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.3A
Transistor Case Style
LGA
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
0.15ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
950mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
FemtoFET
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000002