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CSD25402Q3A
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 35 A, 7700 µohm, VSON, Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,901 |
| 10+ | ₩1,195 |
| 100+ | ₩790 |
| 500+ | ₩614 |
| 1000+ | ₩496 |
| 5000+ | ₩476 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호CSD25402Q3A
주문 코드3125070
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance7700µohm
Transistor Case StyleVSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Power Dissipation69W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max125°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The CSD25402Q3A is a NexFET™ P-channel Power MOSFET designed to minimize losses in power conversion load management applications. It has a 3.3 × 3.3mm package that offers an excellent thermal performance for the size of the device.
- Ultra-low Qg and Qgd
- Low thermal resistance
- Low RDS (ON)
- Halogen-free
- Plastic package
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
애플리케이션
Power Management, Safety, Industrial
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Transistor Case Style
VSON
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
69W
Operating Temperature Max
125°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
7700µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000091