페이지 인쇄
CSD86356Q5DT
Dual MOSFET, N Channel, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 1800 µohm
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
459 재고
더 필요하세요?
459 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
재고가 소진될 때까지 주문 가능
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩3,507 |
| 10+ | ₩3,222 |
| 100+ | ₩2,544 |
| 500+ | ₩2,394 |
| 1000+ | ₩2,063 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩3,507
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체 부품 번호CSD86356Q5DT
주문 코드2885447
Product RangeNexFET Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Drain Source Voltage Vds P Channel25V
Continuous Drain Current Id N Channel40A
Continuous Drain Current Id P Channel40A
Drain Source On State Resistance N Channel1800µohm
Drain Source On State Resistance P Channel1800µohm
Transistor Case StyleSON
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel12W
Power Dissipation P Channel12W
Operating Temperature Max125°C
Product RangeNexFET Series
Qualification-
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
25V
Continuous Drain Current Id P Channel
40A
Drain Source On State Resistance P Channel
1800µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
12W
Product Range
NexFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Continuous Drain Current Id N Channel
40A
Drain Source On State Resistance N Channel
1800µohm
Transistor Case Style
SON
Power Dissipation N Channel
12W
Operating Temperature Max
125°C
Qualification
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0001