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HN4B102J(TE85L,F)
Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 1.1 W
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제품 정보
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호HN4B102J(TE85L,F)
주문 코드4062480RL
AKAHN4B102J, HN4B102J(TE85L
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN, PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo30V
Collector Emitter Voltage Max NPN30V
Collector Emitter Voltage Max PNP30V
DC Collector Current2A
Continuous Collector Current NPN2A
Power Dissipation Pd1.1W
DC Current Gain hFE40hFE
Continuous Collector Current PNP2A
Power Dissipation NPN1.1W
Power Dissipation PNP1.1W
DC Current Gain hFE Min NPN40hFE
DC Current Gain hFE Min PNP40hFE
Transistor Case StyleSOT-25
No. of Pins5Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN-
Transition Frequency PNP-
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
기술 사양
Transistor Polarity
NPN, PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN
30V
DC Collector Current
2A
Power Dissipation Pd
1.1W
Continuous Collector Current PNP
2A
Power Dissipation PNP
1.1W
DC Current Gain hFE Min PNP
40hFE
No. of Pins
5Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
30V
Collector Emitter Voltage Max PNP
30V
Continuous Collector Current NPN
2A
DC Current Gain hFE
40hFE
Power Dissipation NPN
1.1W
DC Current Gain hFE Min NPN
40hFE
Transistor Case Style
SOT-25
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
-
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00001