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SSM6N57NU,LF(T
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.03 ohm
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제품 정보
제조업체TOSHIBA
제조업체 부품 번호SSM6N57NU,LF(T
주문 코드3872306RL
AKASSM6N57NU ,SSM6N57NU,LF
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
On Resistance Rds(on)0.03ohm
Continuous Drain Current Id N Channel4A
Continuous Drain Current Id P Channel4A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.03ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel0.03ohm
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Transistor Case StyleSOT-1118
Power Dissipation Pd1W
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1W
Power Dissipation P Channel1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
기술 사양
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
4A
On Resistance Rds(on)
0.03ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.03ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.03ohm
Transistor Case Style
SOT-1118
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
4A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
1W
Power Dissipation N Channel
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001