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TP65H070G4PS
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 9 nC, TO-220AB, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩14,843 |
| 5+ | ₩11,576 |
| 10+ | ₩8,903 |
| 50+ | ₩8,353 |
| 100+ | ₩7,864 |
| 250+ | ₩7,784 |
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제품 정보
제조업체RENESAS
제조업체 부품 번호TP65H070G4PS
주문 코드4371971
Product RangeSuperGaN Series
기술 데이터 시트
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source On State Resistance0.085ohm
Typical Gate Charge9nC
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Product RangeSuperGaN Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.085ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
29A
Typical Gate Charge
9nC
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.138