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2N6845
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 4 A, 0.69 ohm, TO-39, Through Hole
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체 부품 번호2N6845
주문 코드1208693
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source On State Resistance0.69ohm
Transistor Case StyleTO-39
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation20W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The 2N6845 is a P-channel enhancement-mode Power MOSFET offers ±20V gate-source voltage and -4A continuous drain current.
- High voltage
- Hermetically sealed metal package
- Simple drive requirements
- Light weight
- -55 to 150°C Operating temperature range
애플리케이션
Power Management, Industrial
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Transistor Case Style
TO-39
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
20W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.69ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Great Britain
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Great Britain
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:아니요
RoHS 프탈레이트 준수:아니요
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000907