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2N7002K-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, Surface Mount
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호2N7002K-T1-GE3
주문 코드1858936RL
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id190mA
Drain Source On State Resistance2ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation350mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The 2N7002K-T1-GE3 is a TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET offers low Input and output leakage.
- 2Ω Low ON-resistance
- 2V Low threshold
- 25pF Low input capacitance
- 25ns Fast switching speed
- 2000V ESD Protection
- Halogen-free
- Low offset voltage
- Low-voltage operation
- Easily driven without buffer
- High-speed circuits
- Low error voltage
애플리케이션
Portable Devices, Lighting, Communications & Networking, Imaging, Video & Vision, Signal Processing, Industrial, Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
190mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
350mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
2N7002K-T1-GE3의 대체 제품
4개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000008