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BPW85B
Phototransistor, 850 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pins, T-1 (3mm)
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,156 |
| 10+ | ₩743 |
| 25+ | ₩684 |
| 50+ | ₩626 |
| 100+ | ₩568 |
| 500+ | ₩482 |
가격기준Each
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제품 개요
- Leaded silicon NPN phototransistor in clear, T-1 plastic package
- High photo sensitivity and high radiant sensitivity
- Suitable for visible and near infrared radiation
- Fast response times
- Angle of half sensitivity: ϕ = ± 25°
- 4mA maximum collector light current at Ee = 1 mW/cm2, λ = 950nm, VCE = 5V
기술 사양
Wavelength Typ
850nm
Power Consumption
100mW
Transistor Case Style
T-1 (3mm)
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Viewing Angle
25°
No. of Pins
2Pins
Product Range
-
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000171