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IRF830PBF
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Through Hole
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|---|---|
| 1+ | ₩1,942 |
| 10+ | ₩1,273 |
| 100+ | ₩1,238 |
| 500+ | ₩1,071 |
| 1000+ | ₩1,047 |
| 5000+ | ₩1,027 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호IRF830PBF
주문 코드8648549
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id4.5A
Drain Source On State Resistance1.5ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation74W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
제품 개요
The IRF830PBF is a 500V N-channel SMPS MOSFET with low gate charge Qg results in simple drive requirement. It operates at high frequency with hard switching application. Suitable for SMPS, uninterruptable power supply and high speed power switching.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- 150°C Operating temperature
- Easy to parallel
- Simple drive requirement
애플리케이션
Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.5A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
74W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
1.5ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.002