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IRF840ASPBF
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩4,781 |
| 10+ | ₩2,183 |
| 100+ | ₩2,152 |
| 500+ | ₩1,876 |
| 1000+ | ₩1,553 |
| 5000+ | ₩1,522 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호IRF840ASPBF
주문 코드8648565
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.85ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
제품 개요
- N-channel power MOSFET in D2PAK (TO-263) package
- Low gate charge Qg results in simple drive requirement
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current
- Used in Switch Mode Power Supply (SMPS), uninterruptible power supply and high speed power switching
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.85ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.0018