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IRFBF20PBF
Power MOSFET, N Channel, 900 V, 1.7 A, 8 ohm, TO-220AB, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,396 |
| 10+ | ₩1,598 |
| 100+ | ₩1,560 |
| 500+ | ₩1,521 |
| 1000+ | ₩1,482 |
| 5000+ | ₩1,351 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호IRFBF20PBF
주문 코드8648867
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds900V
Continuous Drain Current Id1.7A
Drain Source On State Resistance8ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation54W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
제품 개요
- N-channel Power MOSFET in TO-220AB package
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- Fast switching
- Ease of paralleling
- Simple drive requirements
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.7A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
54W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
900V
Drain Source On State Resistance
8ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002