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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,636 |
| 10+ | ₩1,177 |
| 100+ | ₩932 |
| 500+ | ₩613 |
| 1000+ | ₩538 |
| 5000+ | ₩503 |
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제품 개요
The IRFD220PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.
- Dynamic dV/dt rating
- For automatic insertion
- End stackable
- Repetitive avalanche rated
- Ease of paralleling
- Simple drive requirements
애플리케이션
Industrial, Power Management
경고
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기술 사양
Channel Type
N Channel
Transistor Mounting
Through Hole
Qualification
-
Transistor Case Style
DIP
Product Range
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000574
