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SI1480DH-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 2.6 A, 0.2 ohm, SOT-363, Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩766 |
| 10+ | ₩601 |
| 100+ | ₩451 |
| 500+ | ₩415 |
| 1000+ | ₩321 |
| 5000+ | ₩248 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI1480DH-T1-GE3
주문 코드2364056
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id2.6A
Drain Source On State Resistance0.2ohm
Transistor Case StyleSOT-363
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation2.8W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The SI1480DH-T1-GE3 is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch applications.
- 100% Rg tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
애플리케이션
Industrial, Power Management, LED Lighting
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.6A
Transistor Case Style
SOT-363
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
SI1480DH-T1-GE3의 대체 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0005