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SI2302CDS-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, TO-236, Surface Mount
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI2302CDS-T1-GE3
주문 코드1684049RL
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2.9A
Drain Source On State Resistance0.057ohm
Transistor Case StyleTO-236
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage8V
Gate Source Threshold Voltage Max850mV
Power Dissipation710mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The SI2302CDS-T1-GE3 is a 20V N-channel TrenchFET® power MOSFET for use in load switching for portable devices.
- ±8V Gate to source voltage
애플리케이션
Power Management, Portable Devices
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.9A
Transistor Case Style
TO-236
Rds(on) Test Voltage
8V
Power Dissipation
710mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.057ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
850mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
SI2302CDS-T1-GE3의 대체 제품
4개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000008