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SI2308BDS-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 2.3 A, 0.156 ohm, TO-236, Surface Mount
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI2308BDS-T1-GE3
주문 코드1838997
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id2.3A
Drain Source On State Resistance0.156ohm
Transistor Case StyleTO-236
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation1.09W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The SI2308BDS-T1-GE3 is a N-channel TrenchFET® Power MOSFET with 175°C operating temperature.
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
- ±20V Gate-source voltage
애플리케이션
Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.3A
Transistor Case Style
TO-236
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.09W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.156ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00004