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SI2314EDS-T1-E3
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 4.9 A, 0.033 ohm, TO-236, Surface Mount
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI2314EDS-T1-E3
주문 코드1470104
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4.9A
Drain Source On State Resistance0.033ohm
Transistor Case StyleTO-236
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation750mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
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제품 개요
The SI2314EDS-T1-E3 is a 20VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for LI-ion battery protection applications.
- 3000V ESD protected
- -55 to 150°C Operating temperature range
애플리케이션
Industrial, Power Management, Portable Devices
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.9A
Transistor Case Style
TO-236
Rds(on) Test Voltage
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.033ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation
750mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0001