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SI2329DS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 8 V, 6 A, 0.025 ohm, SOT-23, Surface Mount
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|---|---|
| 1+ | ₩993 |
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| 500+ | ₩442 |
| 1000+ | ₩344 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI2329DS-T1-GE3
주문 코드2283643
Product RangeE
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds8V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.025ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max350mV
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
- 8V, 6A P-channel TrenchFET® power MOSFET in 3 pin TO-236 package
- 100 % Rg tested
- Low on-resistance
- Suitable for load switch and low voltage gate drive
- Also used in battery management in portable equipment
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
8V
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
350mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00012