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SI2342DS-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 8 V, 6 A, 0.017 ohm, SOT-23, Surface Mount
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI2342DS-T1-GE3
주문 코드2646367RL
Product RangeTrenchFET
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds8V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.017ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
- TrenchFET® Power MOSFET
- 100% Rg Tested
- Built-in ESD Protection - Typical ESD Performance 3000V
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
8V
Drain Source On State Resistance
0.017ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00002