페이지 인쇄
SI3483DDV-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 8 A, 0.0312 ohm, TSOP, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI3483DDV-T1-GE3
주문 코드3224959RL
Product RangeTrenchFET Gen IV
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.0312ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation3W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHC0
제품 개요
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Transistor Case Style
TSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
0
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0312ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
SI3483DDV-T1-GE3의 대체 제품
4개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:0
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000064