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SI4431CDY-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 9 A, 0.032 ohm, SOIC, Surface Mount
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|---|---|
| 5+ | ₩1,446 |
| 50+ | ₩1,202 |
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| 500+ | ₩786 |
| 1000+ | ₩680 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI4431CDY-T1-GE3
주문 코드1858950
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id9A
Drain Source On State Resistance0.032ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation4.2W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
SI4431CDY-T1-GE3 is a single, P-channel 30V (D-S) MOSFET suitable for load switch and battery switch.
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg tested
- VDS is -30V, 0.032ohm RDS(on) max at VGS = -10V
- ±20V gate-source voltage
- 4.2W maximum power dissipation at TC = 25°C
- Pulsed drain current IDM is -30A
- Operating temperature range -55 to 150°C
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
9A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
4.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.032ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000136