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SI5513CDC-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.045 ohm
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI5513CDC-T1-GE3
주문 코드3772765
Product RangeTrench Series
기술 데이터 시트
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel4A
Continuous Drain Current Id P Channel4A
Drain Source On State Resistance N Channel0.045ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.045ohm
Transistor Case StyleChipFET
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.1W
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.045ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.1W
Product Range
Trench Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.045ohm
Transistor Case Style
ChipFET
Power Dissipation N Channel
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001