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SI7141DP-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 60 A, 1900 µohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI7141DP-T1-GE3
주문 코드2335356
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source On State Resistance1900µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
제품 개요
The SI7141DP-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for adaptor switch, battery switch and load switch applications.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
1900µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
SI7141DP-T1-GE3의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000143