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SI7450DP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 3.2 A, 0.08 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI7450DP-T1-GE3
주문 코드9550690RL
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id3.2A
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation1.9W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The SI7450DP-T1-GE3 is a 200VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for primary side switch and telecom/server applications.
- New low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
- PWM optimized
- Fast switching
- 100% Rg tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
애플리케이션
Industrial, Power Management, Communications & Networking, Automotive
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.2A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.9W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000279