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SI8802DB-T2-E1
Power MOSFET, N Channel, 8 V, 3.5 A, 0.054 ohm, MICRO FOOT, Surface Mount
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI8802DB-T2-E1
주문 코드3772796
Product RangeTrench
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds8V
Continuous Drain Current Id3.5A
Drain Source On State Resistance0.054ohm
Transistor Case StyleMICRO FOOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max350mV
Power Dissipation900mW
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench
Qualification-
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.5A
Transistor Case Style
MICRO FOOT
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
900mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
8V
Drain Source On State Resistance
0.054ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
350mV
No. of Pins
4Pins
Product Range
Trench
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001