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SIA910EDJ-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.023 ohm
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,512 |
| 10+ | ₩717 |
| 100+ | ₩622 |
| 500+ | ₩482 |
| 1000+ | ₩380 |
| 5000+ | ₩373 |
가격기준Each
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIA910EDJ-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임50주
주문 코드2335391
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel12V
Drain Source Voltage Vds P Channel12V
Continuous Drain Current Id N Channel4.5A
Continuous Drain Current Id P Channel4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.023ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.023ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel7.8W
Power Dissipation P Channel7.8W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
제품 개요
- Dual N-channel 12V TrenchFET® power MOSFET
- Low on-resistance
- ESD protection 2400V typical
- Thermally enhanced PowerPAK SC-70 package
- Used in load switch and high frequency DC/DC converter
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
12V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.023ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
7.8W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
12V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.023ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Power Dissipation N Channel
7.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001