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SIR5408DP-T1-UE3
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 101 A, 0.0032 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIR5408DP-T1-UE3
주문 코드4777169
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
귀하의 부품 번호
기술 데이터 시트
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,197 |
| 10+ | ₩1,407 |
| 100+ | ₩960 |
| 500+ | ₩782 |
| 1000+ | ₩687 |
| 5000+ | ₩638 |
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주문 배수수량: 1
₩2,197
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIR5408DP-T1-UE3
주문 코드4777169
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id101A
Drain Source On State Resistance0.0032ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation59.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
101A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
59.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0032ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001