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SIRA18DP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 33 A, 7500 µohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIRA18DP-T1-GE3
주문 코드2364097
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id33A
Drain Source On State Resistance7500µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation14.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
제품 개요
N-channel 30V (D-S) MOSFET suitable for use in DC/DC conversion, battery protection, load switching and DC/AC inverters.
- TrenchFET® Gen IV power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
33A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
14.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
7500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00012