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SIRA32DP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 25 V, 185 A, 1200 µohm, PowerPAK SO-8S, Surface Mount
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제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIRA32DP-T1-RE3
주문 코드4246801
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
귀하의 부품 번호
기술 데이터 시트
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,557 |
| 10+ | ₩1,080 |
| 100+ | ₩841 |
| 500+ | ₩705 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIRA32DP-T1-RE3
주문 코드4246801
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id185A
Drain Source On State Resistance1200µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO-8S
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation65.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
185A
Transistor Case Style
PowerPAK SO-8S
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
65.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source On State Resistance
1200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000074