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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIS178LDN-T1-GE3
주문 코드3677855
Product RangeTrenchFET Gen IV
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds70V
Continuous Drain Current Id45.3A
Drain Source On State Resistance9500µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation39W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
제품 개요
N-channel 70V (D-S) MOSFET in PowerPAK 1212-8 package is typically used in synchronous rectification, primary side switch, DC/DC converter, motor drive control and load switch applications.
- TrenchFET® Gen IV power MOSFET
- Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
- Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM
- 100% Rg and UIS tested
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
45.3A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
39W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
70V
Drain Source On State Resistance
9500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0005