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SISS5708DN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 33.8 A, 0.023 ohm, PowerPAK 1212-8S, Surface Mount
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제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SISS5708DN-T1-GE3
주문 코드4014727
Product RangeTrenchFET Gen V Series
귀하의 부품 번호
기술 데이터 시트
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩3,659 |
| 10+ | ₩2,260 |
| 100+ | ₩1,723 |
| 500+ | ₩1,376 |
| 1000+ | ₩1,158 |
| 5000+ | ₩1,115 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
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주문 배수수량: 1
₩3,659
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SISS5708DN-T1-GE3
주문 코드4014727
Product RangeTrenchFET Gen V Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id33.8A
Drain Source On State Resistance0.023ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212-8S
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation65.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
33.8A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212-8S
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
65.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.023ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000363