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SQJ122EP-T1_GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 98 A, 3500 µohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQJ122EP-T1_GE3
주문 코드4588043RL
기술 데이터 시트
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id98A
Drain Source On State Resistance3500µohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation60W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
SVHCLead (21-Jan-2025)
기술 사양
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
3500µohm
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
4Pins
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Continuous Drain Current Id
98A
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
60W
Operating Temperature Max
175°C
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001