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SQJ570EP-T1_GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 100 V, 100 V, 15 A, 15 A, 0.0365 ohm
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제조업체 표준 리드 타임: 24주
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,691 |
| 10+ | ₩1,707 |
| 100+ | ₩1,143 |
| 500+ | ₩903 |
| 1000+ | ₩817 |
| 5000+ | ₩730 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQJ570EP-T1_GE3
주문 코드3470697
Product RangeTrenchFET Series
기술 데이터 시트
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id N Channel15A
Continuous Drain Current Id P Channel15A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0365ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0365ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel27W
Power Dissipation P Channel27W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id P Channel
15A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0365ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
27W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
15A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0365ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
27W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000127