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SQJQ150E-T1_GE3
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 233 A, 1900 µohm, PowerPAK, Surface Mount
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제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQJQ150E-T1_GE3
주문 코드3879362RL
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
귀하의 부품 번호
기술 데이터 시트
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQJQ150E-T1_GE3
주문 코드3879362RL
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id233A
Drain Source On State Resistance1900µohm
Transistor Case StylePowerPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation187W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
233A
Transistor Case Style
PowerPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
187W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
1900µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000363