페이지 인쇄
TSHG6200
Infrared Emitter, High Speed, 850 nm, 10 °, T-1 3/4 (5mm), 20 mW/Sr, 20 ns, 13 ns
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
4,993 재고
더 필요하세요?
4993 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,033 |
| 10+ | ₩1,435 |
| 25+ | ₩1,316 |
| 50+ | ₩1,197 |
| 100+ | ₩1,078 |
| 500+ | ₩918 |
가격기준Each
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩2,033
부품 번호 /라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
이 번호는 주문 확인서, 청구서, 발송장, 웹 확인 이메일, 제품 라벨에 추가됩니다.
제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호TSHG6200
주문 코드1703549
기술 데이터 시트
Peak Wavelength850nm
Angle of Half Intensity10°
Diode Case StyleT-1 3/4 (5mm)
Radiant Intensity (Ie)20mW/Sr
Rise Time20ns
Fall Time tf13ns
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max1.5V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Automotive Qualification Standard-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
제품 개요
The TSHG6200 is a 850nm Infrared Emitting Diode in GaAlAs double hetero (DH) technology with high radiant power and high speed, moulded in a clear. It is suitable for use in infrared radiation source for operation with CMOS cameras and high speed IR data transmission.
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- Low forward voltage
- ±10° Angle of half intensity
기술 사양
Peak Wavelength
850nm
Diode Case Style
T-1 3/4 (5mm)
Rise Time
20ns
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
-
MSL
-
Angle of Half Intensity
10°
Radiant Intensity (Ie)
20mW/Sr
Fall Time tf
13ns
Forward Voltage VF Max
1.5V
Operating Temperature Max
85°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000363