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VEMT3700F-GS08
Phototransistor, Silicon, NPN, 940 nm, 120 °, 100 mW, 2 Pins, PLCC
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호VEMT3700F-GS08
주문 코드2504153
기술 데이터 시트
Wavelength Typ940nm
Viewing Angle120°
Power Consumption100mW
No. of Pins2Pins
Transistor Case StylePLCC
Product Range-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
제품 개요
VEMT3700F-GS08 is a VEMT3700F high speed silicon NPN epitaxial planar phototransistor in a miniature PLCC-2 package. The integrated daylight blocking filter is matched to 950nm IR emitters. Application includes photo interrupters, miniature switches, counters, encoders, position sensors.
- Surface mount package type, high radiant sensitivity
- Fast response times, package notch indicates collector
- Wavelength of peak sensitivity is 940nm (typ, Tamb = 25°C)
- Daylight blocking filter matched with 870nm to 950nm emitters
- Collector emitter breakdown voltage is 70V (min, IC = 1mA)
- Rise time, fall time is 6μs (typ, VS = 5V, IC = 1mA, λ = 950nm, RL = 1Kohm)
- Cut-off frequency is 180KHz (typ, VS = 5V, IC = 2mA, RL = 100 ohm)
- Dimension (L x W x H) is 0.13inch x 0.11inch x 0.06inch
- Operating temperature range from -40 to + 100°C
기술 사양
Wavelength Typ
940nm
Power Consumption
100mW
Transistor Case Style
PLCC
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Viewing Angle
120°
No. of Pins
2Pins
Product Range
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000095