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AS6C8016-55ZIN
SRAM, Asynchronous, 8 Mbit, 512K x 16bit, TSOP-II, 44 Pins, 2.7 V
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제품 정보
제조업체ALLIANCE MEMORY
제조업체 부품 번호AS6C8016-55ZIN복사
제조업체 표준 리드 타임22주
주문 코드4260921
기술 데이터 시트
SRAM TypeAsynchronous
Memory Density8Mbit
Memory Configuration512K x 16bit
IC Case / PackageTSOP-II
No. of Pins44Pins
Supply Voltage Min2.7V
Supply Voltage Max5.5V
Supply Voltage Nom3V
Clock Frequency Max-
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
제품 개요
AS6C8016-55ZIN is a 512K X 16bit super low power CMOS SRAM. It is an 8,388,608-bit low-power CMOS static random access memory organized as 524,288 words by 16 bits. It is fabricated using very high-performance, high-reliability CMOS technology. Its standby current is stable within the range of operating temperature. It is well designed for low power applications, and particularly well suited for battery back-up non-volatile memory applications.
- Fast access time : 55ns
- Low power consumption: 30mA (typical) operating current
- Single 2.7V to 5.5V power supply
- All inputs and outputs TTL compatible
- Fully static operation, tri-state output
- Data retention voltage is 1.5V (minimum)
- 44pin TSOP II package
- Industrial operating temperature range from -40°C to 85°C
애플리케이션
Power Management, Communications & Networking
기술 사양
SRAM Type
Asynchronous
Memory Configuration
512K x 16bit
No. of Pins
44Pins
Supply Voltage Max
5.5V
Clock Frequency Max
-
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Memory Density
8Mbit
IC Case / Package
TSOP-II
Supply Voltage Min
2.7V
Supply Voltage Nom
3V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.002849