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ATF-34143-TR1G
RF FET Transistor, 5.5 V, 65 mA, 725 mW, 450 MHz, 10 GHz, SOT-343
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제품 정보
제조업체BROADCOM
제조업체 부품 번호ATF-34143-TR1G
주문 코드1056820
기술 데이터 시트
Drain Source Voltage Vds5.5V
Continuous Drain Current Id65mA
Power Dissipation725mW
Transistor Case StyleSOT-343
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max160°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
제품 개요
The ATF-34143-TR1G is a low noise Pseudomorphic HEMT housed in a surface-mount plastic package. Based on its featured performance, it is ideal for the first or second stage of base station LNA due to the excellent combination of low-noise figure and enhanced linearity. The device is suitable for applications in wireless LAN, WLL/RLL, MMDS and other systems requiring super low-noise figure with good intercept in the 450MHz to 10GHz frequency range.
- Low noise figure
- 800µ Gate width
- 0.5dB Noise figure
- 17.5dB Associated gain
- 20dBm Output power at 1dB gain compression
- 31.5dBm Output 3rd order intercept
애플리케이션
Industrial, Wireless, Power Management
기술 사양
Drain Source Voltage Vds
5.5V
Power Dissipation
725mW
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
65mA
Transistor Case Style
SOT-343
Operating Temperature Max
160°C
Transistor Mounting
Surface Mount
기술 문서 (1)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.004536