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DMC67D8UFDBQ-7
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 60 V, 60 V, 390 mA, 390 mA, 4 ohm
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩1,533 | ₩7,665 |
| 총계 가격 | ₩7,665 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩1,533 |
| 10+ | ₩1,042 |
| 100+ | ₩638 |
| 500+ | ₩587 |
| 1000+ | ₩215 |
| 5000+ | ₩211 |
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMC67D8UFDBQ-7복사
제조업체 표준 리드 타임42주
주문 코드
리릴링3680112RL
컷 테이프3680112
기술 데이터 시트
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel390mA
Continuous Drain Current Id P Channel390mA
Drain Source On State Resistance N Channel4ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.072ohm
Transistor Case StyleU-DFN2020
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel890mW
Power Dissipation P Channel890mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
390mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.072ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
890mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
390mA
Drain Source On State Resistance N Channel
4ohm
Transistor Case Style
U-DFN2020
Power Dissipation N Channel
890mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000121