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SIZF5300DT-T1-UE3
Dual MOSFET, Dual N Channel, 30 V, 125 A, 0.00243 ohm
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제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIZF5300DT-T1-UE3복사
주문 코드
리릴링4844772RL
컷 테이프4844772
Product RangeTrenchFET Gen V Series
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩1,506 | ₩7,530 |
| 총계 가격 | ₩7,530 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩1,506 |
| 10+ | ₩930 |
| 100+ | ₩598 |
| 500+ | ₩457 |
| 1000+ | ₩347 |
| 5000+ | ₩284 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIZF5300DT-T1-UE3복사
주문 코드
리릴링4844772RL
컷 테이프4844772
Product RangeTrenchFET Gen V Series
기술 데이터 시트
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel125A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.00243ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins12Pins
Power Dissipation N Channel56.8W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
12Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
TrenchFET Gen V Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
125A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.00243ohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
56.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001