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SIZ322DT-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 25 V, 25 V, 30 A, 30 A, 5290 µohm
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIZ322DT-T1-GE3복사
주문 코드2932983
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Drain Source Voltage Vds P Channel25V
Continuous Drain Current Id N Channel30A
Continuous Drain Current Id P Channel30A
Drain Source On State Resistance N Channel5290µohm
Drain Source On State Resistance P Channel5290µohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel16.7W
Power Dissipation P Channel16.7W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
SIZ322DT-T1-GE3의 대체 제품
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기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
25V
Continuous Drain Current Id P Channel
30A
Drain Source On State Resistance P Channel
5290µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
16.7W
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Continuous Drain Current Id N Channel
30A
Drain Source On State Resistance N Channel
5290µohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
16.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:To Be Advised
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.003