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SIZ348DT-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 5930 µohm
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제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIZ348DT-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임56주
주문 코드
리릴링2857079RL
컷 테이프2857079
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
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주문 가능
제조업체 표준 리드 타임: 56주
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩2,804 | ₩2,804 |
| 총계 가격 | ₩2,804 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,804 |
| 10+ | ₩1,347 |
| 100+ | ₩1,205 |
| 500+ | ₩955 |
| 1000+ | ₩917 |
| 5000+ | ₩878 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIZ348DT-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임56주
주문 코드
리릴링2857079RL
컷 테이프2857079
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel30A
Continuous Drain Current Id P Channel30A
Drain Source On State Resistance N Channel5930µohm
Drain Source On State Resistance P Channel5930µohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel16.7W
Power Dissipation P Channel16.7W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
제품 개요
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
30A
Drain Source On State Resistance P Channel
5930µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
16.7W
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
30A
Drain Source On State Resistance N Channel
5930µohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
16.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001814