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AUIRFN8459TR
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 50 A, 50 A, 4800 µohm
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호AUIRFN8459TR복사
주문 코드2726087
Product RangeHEXFET Series
AKASP001517406
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel50A
Continuous Drain Current Id P Channel50A
Drain Source On State Resistance N Channel4800µohm
Drain Source On State Resistance P Channel4800µohm
Transistor Case StylePQFN
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel50W
Power Dissipation P Channel50W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
AUIRFN8459TR의 대체 제품
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제품 개요
- Automotive HEXFET® power MOSFET
- Automotive qualified
- Advanced planar technology
- Ultra-low on-resistance
- Fast switching
- Dual N channel MOSFET
- Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
50A
Drain Source On State Resistance P Channel
4800µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
50W
Product Range
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
50A
Drain Source On State Resistance N Channel
4800µohm
Transistor Case Style
PQFN
Power Dissipation N Channel
50W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000179